硅电容,简称(Si-Cap),是以硅材料作为介电层,采用半导体制造工艺制作而成的电容器,与主流的MLCC(片式多层陶瓷电容器)相比,它的体积更小,性能更稳定、耐老化、耐温性等更优异,显著的缺点就是相比制造成本更高,所以是一种目前趋近于完美的电容器件,业内有人认为是MLCC的高端替代品。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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电容: 10 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥5.26301 | 1288 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥526.30130 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 10 pF 公差: ±20% 包装/外壳: 非标准 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥6.36911 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥636.91060 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 68 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥10.94255 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,094.25540 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 5.6 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥6.36911 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥636.91060 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 47 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥8.92789 | 85 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥892.78860 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 100 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥7.93357 | 655 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥793.35690 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 10 pF 公差: ±20% 击穿电压: 50 V 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度 高度: 0.179英寸(4.55毫米) | ¥50.90039 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,545.01930 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 2.6 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥8.82665 | 35 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥882.66470 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 10 pF 公差: ±20% 包装/外壳: 非标准 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥6.61044 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥661.04400 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 100 pF 击穿电压: 50 V 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度 高度: 0.008英寸(0.20毫米) | ¥10.03108 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,003.10800 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 10 pF 击穿电压: 200伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度 高度: 0.008英寸(0.20毫米) | ¥10.13601 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,013.60080 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 30 pF 击穿电压: 200伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度 高度: 0.008英寸(0.20毫米) | ¥11.26923 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,126.92260 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 20 pF 击穿电压: 200伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度 高度: 0.008英寸(0.20毫米) | ¥18.58268 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,858.26800 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 100 pF 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度 高度: 0.008英寸(0.20毫米) | ¥19.82083 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,982.08260 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 5.6 pF 公差: ±20% 包装/外壳: 非标准SMD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度 高度: 0.008英寸(0.20毫米) | ¥95.27427 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥95.27427 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 8.2 pF 公差: ±20% 包装/外壳: 非标准 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥5.98087 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥598.08740 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 1.8 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥6.36911 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥636.91060 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 15 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥6.36911 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥636.91060 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 0.8 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥6.36911 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥636.91060 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 1.2 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥6.36911 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥636.91060 | 立即购买 加入购物车 |