RF 晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,流经器件的电流由电场控制。该系列中的器件设计用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管,类型包括E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N沟道、P沟道、pHEMT、碳化硅、2个N沟道和4个N沟道。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类别: 卷边 额定电压: 84 V 额定电流(单位:安培): 28A 频率: 8GHz 输出端功率: 120瓦 供应商设备包装: Die | ¥1,232.58490 | 30 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,325.84899 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 10A. 频率: 2.45GHz 输出端功率: 280瓦 供应商设备包装: OM-780-2 Gull | ¥914.98904 | 46 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,744.96713 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 卷边 额定电压: 84 V 频率: 3GHz 输出端功率: 60W 供应商设备包装: 440193 | ¥1,322.47843 | 55 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,322.47843 | 添加到BOM 立即询价 | ||
LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF P | ¥942.82993 | 1540 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,828.48980 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 卷边 额定电压: 84 V 频率: 4GHz 输出端功率: 45W 供应商设备包装: 440206 | ¥1,348.43916 | 72 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,348.43916 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2个N通道(双通道) 额定电压: 125伏 频率: 2.4GHz~2.5GHz 输出端功率: 300瓦 供应商设备包装: NI-780S-4L | ¥1,465.37090 | 200 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,465.37090 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 133伏 频率: 512MHz 输出端功率: 100W 供应商设备包装: NI-780-4 | ¥1,533.85225 | 182 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,533.85225 | 添加到BOM 立即询价 | ||
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO | ¥1,004.58609 | 438 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,013.75826 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 卷边 额定电压: 84 V 频率: 2.5GHz 输出端功率: 120瓦 供应商设备包装: 440095 | ¥1,783.55250 | 225 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,783.55250 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 频率: 2.45GHz 输出端功率: 256瓦 供应商设备包装: OM-780-2 | ¥1,009.35881 | 250 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,028.07644 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电流(单位:安培): 4.2A 频率: 1.03GHz~1.09GHz 输出端功率: 317W 供应商设备包装: CDFM2 | ¥1,965.92840 | 44 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,965.92840 | 添加到BOM 立即询价 | ||
RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- | ¥1,019.62740 | 750 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,058.88220 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电流(单位:安培): 4.2A 频率: 1.03GHz~1.09GHz 输出端功率: 317W 供应商设备包装: CDFM2 | ¥1,965.92840 | 43 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,965.92840 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 高电子迁移率晶体管 额定电压: 150伏 频率: 3GHz 输出端功率: 50W 供应商设备包装: SOT467C | ¥1,107.34428 | 467 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,214.68856 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 卷边 额定电压: 125伏 额定电流(单位:安培): 8.7A 频率: 0Hz~4GHz 输出端功率: 116瓦 供应商设备包装: 440206 | ¥2,165.00885 | 57 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,165.00885 | 添加到BOM 立即询价 | ||
WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST | ¥1,148.85252 | 80 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,297.70504 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双) 额定电压: 133伏 频率: 230兆赫 输出端功率: 1250W 供应商设备包装: NI-1230 | ¥2,591.80607 | 168 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,591.80607 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双) 额定电压: 65 V 频率: 2.58GHz 输出端功率: 28瓦 供应商设备包装: NI-780S-4L2L | ¥1,213.28429 | 191 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,426.56858 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 106伏 额定电流(单位:安培): 2.8A. 频率: 960MHz~1.215GHz 输出端功率: 700W 供应商设备包装: CDFM2 | ¥2,628.68621 | 43 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,628.68621 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双) 额定电压: 133伏 频率: 230兆赫 输出端功率: 1250W 供应商设备包装: NI-1230-4H | ¥1,407.73664 | 41 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,815.47328 | 添加到BOM 立即询价 |