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1S922TR是DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于DO-204AH、DO-35、轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如DO-35，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可以用作100nA@150V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.2V@200mA，该设备提供150V电压DC反向电压Vr Max，该设备具有200mA的电流平均整流Io。
1S923TR是DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35，包括1.2V@200MA电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包，该DO-35提供速度特性，如小信号=，包装设计用于磁带和卷轴（TR），以及DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，二极管类型为标准型，该器件提供100nA@200V电流反向泄漏Vr，该器件具有200mA电流平均整流Io。
1S953，带有NEC制造的电路图。1S953采用D0-35封装，是IC芯片的一部分。
