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W9464G6KH-5I TR

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II
  • 品牌: 华邦电子 (Winbond)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1000

数量 单价 合计
1+ 11.37150 11.37150
200+ 4.40828 881.65780
500+ 4.25122 2125.61250
1000+ 4.17792 4177.92800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥11.37150
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4,177.93
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 储存接口 并联
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 华邦电子 (Winbond)
  • 时钟频率 200兆赫
  • 单字、单页写入耗时 15纳秒
  • 技术 SDRAM-DDR
  • 电源电压 2.3伏~2.7伏
  • 包装/外壳 66-TSSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
  • 供应商设备包装 66-TSOP II
  • 访达时期 55 ns
  • 存储容量 64Mb (4M x 16)

W9464G6KH-5I TR 产品详情

Description
W9464G6JH is a 64M DDR SDRAM and speed involving -4 / -5 and -5I Status: Mass Production
Features
2.5V ±0.2V Power Supply for DDR400
2.4V~2.7V Power Supply for DDR500
Up to 250 MHz Clock Frequency
Double Data Rate architecture; two data transfers per clock cycle
Differential clock inputs (CLK and /CLK)
DQS is edge-aligned with data for Read; center-aligned with data for Write
CAS Latency: 2, 2.5, 3 and 4
Burst Length: 2, 4 and 8
Auto Refresh and Self Refresh
Precharged Power Down and Active Power Down
Write Data Mask
Write Latency = 1
15.6μS refresh interval (4K/64 mS Refresh)
Maximum burst refresh cycle: 8
Interface: SSTL_2
W9464G6KH-5I TR所属分类:存储器,W9464G6KH-5I TR 由 华邦电子 (Winbond) 设计生产,可通过久芯网进行购买。W9464G6KH-5I TR价格参考¥11.371502,你可以下载 W9464G6KH-5I TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询W9464G6KH-5I TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbo...

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