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W987D2HBJX7E

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)
  • 品牌: 华邦电子 (Winbond)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 储存接口 并联
  • 时钟频率 133兆赫
  • 电源电压 1.7伏~1.95伏
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 华邦电子 (Winbond)
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 单字、单页写入耗时 15纳秒
  • 供应商设备包装 90-VFBGA (8x13)
  • 访达时期 5.4 ns
  • 包装/外壳 90-TFBGA
  • 存储容量 128Mb (4M x 32)
  • 工作温度 -25摄氏度~85摄氏度(TC)
  • 技术 SDRAM-移动LPSDR

W987D2HBJX7E 产品详情

W987D2HBJX7E所属分类:存储器,W987D2HBJX7E 由 华邦电子 (Winbond) 设计生产,可通过久芯网进行购买。W987D2HBJX7E价格参考¥20.985291,你可以下载 W987D2HBJX7E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询W987D2HBJX7E规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbo...

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