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NCV57000DWR2G

  • 描述:技术: 电容耦合 通道数量: one 隔离电压: 1200Vrms 供应商设备包装: 16-SOIC 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度(TA) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 40.96253 40.96253
10+ 35.96787 359.67873
30+ 32.93128 987.93852
100+ 30.37636 3037.63610
  • 库存: 10815
  • 单价: ¥40.96254
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥40.96
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 通道数量 one
  • 最大脉冲宽度失真 -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 安装类别 表面安装
  • 峰值输出电流 -
  • 正向电压典型值 -
  • 正向电流属性DC值 -
  • 技术 电容耦合
  • 隔离电压 1200Vrms
  • 最小共模瞬态抗扰度 100千伏/s
  • 最大传输延迟 tpLH / tpHL 90ns, 90ns
  • 上升/下降时长(典型值) 10ns、15ns
  • 输出高电流, 输出低电流 7.8A, 7.1A
  • 输出电源电压 0伏~24伏
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TA)
  • 包装/外壳 16-SOIC(0.295“,7.50毫米宽)
  • 供应商设备包装 16-SOIC
  • 认证机构 UL,VDE

NCV57000DWR2G 产品详情

Driver 7.8A 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv Automotive AEC-Q100 16-Pin SOIC W T/R

Arrow Electronics

  • IC IGBT GATE DRIVER

DigiKey

  • MOSFET and Power Driver 7.8A Single Hi/Lo Side Inverting/Non-Inverting 16-Pin SOIC T/R - Tape and Reel (Alt: NCV57000DWR2G) RoHS : Compliant

Avnet Americas

  • Igbt Driver, -40 To 125Deg C
  • Driver Configuration:High Side And Low Side
  • Peak Output Current:7.1A
  • Supply Voltage Min:3.3V
  • Supply Voltage Max:5V
  • Driver Case Style:Wsoic
  • No. Of Pins:16Pins
  • Input Delay:60Ns
  • Output Delay:66Ns
  • Rohs Compliant: Yes |Onsemi NCV57000DWR2G

Newark

  • Galvanically Isolated Gate Drivers IGBT gate driver RoHS : Compliant

Mouser Electronics

  • MOSFET and Power Driver 7.8A Single Hi/Lo Side Inverting/Non-Inverting 16-Pin SOIC T/R (Alt: NCV57000DWR2G) RoHS : Compliant

Avnet Asia

  • IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C RoHS : Compliant

Farnell

Wuhan P&S

NCV57000DWR2G所属分类:隔离器 - 栅极驱动器,NCV57000DWR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCV57000DWR2G价格参考¥40.962538,你可以下载 NCV57000DWR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCV57000DWR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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