预偏置双极晶体管阵列包含两个或多个双极晶体管,以及以可能有用的方式连接到每个晶体管的电阻器,通常每个晶体管的发射极和基极端子之间有一个电阻器,另一个连接到每个晶体管的基极端子和一个电阻器。器件封装上的用户可访问引脚。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类型:1个PNP-预偏置 功率(Pd):625mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.32323 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.32323 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.13535 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.13535 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):625mW 集电极电流(Ic):150mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.99374 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.99374 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.94643 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.94643 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个PNP-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V HFE:>80 | ¥0.17139 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.17139 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个PNP-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):33@10mA,5V | ¥0.15892 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15892 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.30708 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.30708 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥1.18364 | 218 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.18364 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个PNP-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.15581 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15581 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个PNP-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.24329 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.24329 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个PNP-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极截止电流(Icbo):500nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V | ¥0.37215 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.37215 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):600mA 集射极击穿电压(Vceo):15V | ¥0.23859 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.23859 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):100mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.19175 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.19175 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.09147 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.09147 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.23256 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.23256 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.22397 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.22397 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个PNP-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.15580 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15580 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V | ¥0.22465 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.22465 | 立即购买 加入购物车 |