预偏置双极晶体管具有内部电阻,旨在不施加输入信号的情况下将器件维持在偏置或工作点附近。晶体管偏置使晶体管能够更有效地工作并产生稳定、不失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元件的数量,从而降低了项目成本。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR | ¥0.21702 | 18000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,445.56457 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 130兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23 | ¥1.73614 | 23761 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.73614 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: PG-SOT23 | ¥0.35146 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,054.37700 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.80848 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.80848 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59 | ¥0.35625 | 2155 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.35625 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) | ¥0.22529 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,349.35540 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥1.88081 | 46985 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.88081 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3F | ¥0.35953 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.35953 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) | ¥0.43606 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.43606 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VMT3 | ¥0.11936 | 1000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.11936 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥0.07813 | 2125 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.07813 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 150兆赫 供应商设备包装: TO-236AB | ¥1.59146 | 35708 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.59146 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥0.26114 | 499 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.26114 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 170兆赫 供应商设备包装: TO-236AB | ¥0.32974 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.32974 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 供应商设备包装: TO-236AB | ¥0.42831 | 3060 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.42831 | 立即购买 加入购物车 | ||
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR | ¥0.28936 | 1015547 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,231.80283 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) | ¥0.33855 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.33855 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥0.37472 | 190 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.37472 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-523F | ¥0.28936 | 860528 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,086.83547 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: EMT3 | ¥0.12804 | 150 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.12804 | 立即购买 加入购物车 |