预偏置双极晶体管具有内部电阻,旨在不施加输入信号的情况下将器件维持在偏置或工作点附近。晶体管偏置使晶体管能够更有效地工作并产生稳定、不失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元件的数量,从而降低了项目成本。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥0.11907 | 760 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.11907 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥0.11618 | 2716 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.11618 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥0.15227 | 2123 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.15227 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-363 | ¥0.56432 | 489 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.56432 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 170兆赫 供应商设备包装: PG-SOT323-3 | ¥0.14433 | 44750 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.92000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) | ¥0.14577 | 2672 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.14577 | 立即购买 加入购物车 | ||
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR | ¥0.14433 | 41000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.92000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) | ¥0.17226 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.17226 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323) | ¥0.14983 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,247.51000 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) | ¥0.17897 | 964 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.17897 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 170兆赫 供应商设备包装: PG-SOT323-3 | ¥0.14433 | 40000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.92000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) | ¥0.12051 | 17798 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.12051 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: TO-92-3 | ¥0.14433 | 39000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.92000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) | ¥0.12412 | 4222 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.12412 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: PG-SOT323-3 | ¥0.14433 | 35965 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.92000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 246毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) | ¥1.08246 | 30679 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.08246 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: TO-92-3 | ¥0.14433 | 35000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.92000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥1.29895 | 20650 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.29895 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: PG-SOT323-3 | ¥0.14433 | 33000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.92000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 250毫瓦 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: TO-236AB | ¥0.08082 | 30979 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.08082 | 立即购买 加入购物车 |