场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.6A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.09783 | 1297 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,720.88681 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安、200毫安 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.32759 | 191006 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.32759 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A 供应商设备包装: SC-75,MicroFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.17017 | 3584 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,159.31915 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥1.02070 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.02070 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.9A(Ta) 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.17017 | 1500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,159.31915 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A (Ta) 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.24251 | 165292 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,157.29366 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.32759 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.32759 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.12332 | 23805 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.12332 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL MOSFET | ¥2.24251 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,157.29366 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 供应商设备包装: 532-FCBGA (23x23) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.24251 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,195.41631 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道,公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A, 5.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.32759 | 29889 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.32759 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安 供应商设备包装: SC-59 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥2.31485 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,143.54925 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A, 4.2A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.68929 | 424641 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.68929 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.1A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.38719 | 348982 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,153.24267 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A 供应商设备包装: SOT-26 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.20227 | 395 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.20227 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏、12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A、1.3A 供应商设备包装: TUMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥1.50755 | 7 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.50755 | 立即购买 加入购物车 | ||
N-CHANNEL MOSFET | ¥2.38719 | 11995 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,153.24267 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A 供应商设备包装: TUMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.58161 | 274 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.58161 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安 供应商设备包装: SC-74-6, (Mini Mold) 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥2.45953 | 16700 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,161.92335 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.13607 | 5235 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.13607 | 添加到BOM 立即询价 |