场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET | ¥1.01030 | 69000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,241.84682 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥13.13385 | 35406 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.13385 | 添加到BOM 立即询价 | ||
ULTRAHIGH-SPEED SWITCHING APPLIC | ¥1.01030 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,241.84682 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)公共源 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥17.10287 | 18135 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.10287 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 300A (Tc) 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5,126.89138 | 82 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,126.89138 | 添加到BOM 立即询价 | ||
13.2A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET | ¥1.08246 | 24000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,230.95006 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)公共源 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 供应商设备包装: SOT-353 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.95872 | 75114 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.95872 | 添加到BOM 立即询价 | ||
RF N | ¥1.08246 | 6000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,115.12684 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安 供应商设备包装: 6-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.10305 | 1 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.10305 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.67473 | 101 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.67473 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 450毫安, 310毫安 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.24738 | 60540 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.24738 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.18349 | 15 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.18349 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 16伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安 供应商设备包装: SC-88 | ¥1.22679 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,156.69330 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,1.8V驱动 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥2.64986 | 6 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.64986 | 立即购买 加入购物车 | ||
SMC6280 - N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.22679 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,211.89876 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安、200毫安 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.31954 | 860989 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.31954 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A 供应商设备包装: 8-DFN (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.75253 | 137478 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.75253 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A 供应商设备包装: U-DFN2020-6 (Type B) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.65308 | 469 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.65308 | 立即购买 加入购物车 | ||
N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥1.29895 | 96000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,204.32154 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.85587 | 30000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.85587 | 立即购买 加入购物车 |