绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作结合了高效率和快速开关的电子开关。作为模块,IGBT 可配置为不对称桥、升压、降压和制动斩波器、全桥、三电平和三相逆变器。有些内置 NTC 热敏电阻用于温度监控。IGBT 模块的区别在于最大功率、集电极电流、集电极-发射极击穿电压和配置。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 86 A 最大功率: 284 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥211.52162 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,230.43236 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 600 A 供应商设备包装: Module | ¥1,944.02050 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,944.02050 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 78 A 最大功率: 360瓦 供应商设备包装: SOT-227B | ¥244.77156 | 69 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥244.77156 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 87 A 最大功率: 283 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥211.95484 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,239.09684 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 280 A 最大功率: 1000瓦 供应商设备包装: Module | ¥2,093.19396 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,093.19396 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 283 A 最大功率: 682 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥246.72107 | 6 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥246.72107 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 85 A 最大功率: 290瓦 供应商设备包装: V1A-PAK | ¥212.27377 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,094.57041 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 600 A 最大功率: 2500瓦 供应商设备包装: Module | ¥955.82993 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥955.82993 | 立即购买 加入购物车 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 45 A 最大功率: 150瓦 供应商设备包装: Module | ¥212.85739 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,108.57741 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 105瓦 供应商设备包装: Module | ¥263.11138 | 37 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥263.11138 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 416 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥213.57943 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,048.12126 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大功率: 4050 W 供应商设备包装: Module | ¥2,329.58986 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,329.58986 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 220 A 最大功率: 536 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥215.09572 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,301.91432 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 116 A 最大功率: 543 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥269.32092 | 8 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥269.32092 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 600 A 最大功率: 40瓦 供应商设备包装: Module | ¥2,495.22583 | 7 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,495.22583 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 16 A 最大功率: 68 W 供应商设备包装: Module | ¥216.75641 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,202.15379 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 128 A 最大功率: 543 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥308.45549 | 75 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥308.45549 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 900 A 最大功率: 5100 W 供应商设备包装: Module | ¥5,288.65418 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,288.65418 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 329 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥225.92632 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,518.52632 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: AG-EASY1B-2 | ¥286.41450 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥286.41450 | 立即购买 加入购物车 |