Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒,提供卓越的技术支持,以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 700 A 最大功率: 2300 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,471.85694 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,471.85694 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 升压斩波电路 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 165 A 最大功率: 430 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥194.08508 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,987.06281 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 112 A 最大功率: 543 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥197.87369 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,957.47376 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 416 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥213.46111 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥213.46111 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 900 V 最大集电极电流 (Ic): 87 A 最大功率: 284 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥204.36845 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,087.36896 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 116 A 最大功率: 543 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥232.51241 | 20 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥232.51241 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 86 A 最大功率: 284 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥211.40444 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,228.08876 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 87 A 最大功率: 283 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥211.83742 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,236.74844 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 283 A 最大功率: 682 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥246.58439 | 6 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥246.58439 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 416 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥213.46111 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,044.21670 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 220 A 最大功率: 536 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥214.97656 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,299.53112 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 116 A 最大功率: 543 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥269.17172 | 8 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥269.17172 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 128 A 最大功率: 543 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥308.28461 | 75 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥308.28461 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 329 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥225.80116 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,516.02312 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 329 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥227.85783 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,557.15660 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 123 A 最大功率: 570 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥409.89152 | 10 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥409.89152 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 149 A 最大功率: 625 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥749.49530 | 10 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥749.49530 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 84 A 最大功率: 417 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥239.98138 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,799.62764 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 97 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: 同位素 | ¥309.15058 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥309.15058 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 153 A 最大功率: 446 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥248.74931 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,974.98616 | 添加到BOM 立即询价 |