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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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FM24C04B-GTR
FM24C04B-GTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥12.49375

2070

2-3 工作日

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合计: ¥12.49375

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S25FS256SAGNFI000
S25FS256SAGNFI000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)

¥39.04072

2581

5-7 工作日

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合计: ¥39.04072

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S25FS256SDSNFI000
S25FS256SDSNFI000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)

¥39.04072

5795

5-7 工作日

- +

合计: ¥39.04072

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CY7C1049GN-10VXIT
CY7C1049GN-10VXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-SOJ

¥55.63844

846

5-7 工作日

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合计: ¥55.63844

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CY7C1049GN30-10VXI
CY7C1049GN30-10VXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 36-SOJ

¥35.48809

592

2-3 工作日

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合计: ¥35.48809

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FM25640B-G
FM25640B-G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥21.00482

8791

2-3 工作日

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合计: ¥21.00482

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CY7C1041GN30-10ZSXI
CY7C1041GN30-10ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥27.90521

190

2-3 工作日

- +

合计: ¥27.90521

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CY7C1049G-10VXI
CY7C1049G-10VXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-SOJ

¥56.50441

4759

5-7 工作日

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合计: ¥56.50441

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S29GL256S10DHA023
S29GL256S10DHA023
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥44.38086

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥97,637.89200

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CY7C1019D-10VXI
CY7C1019D-10VXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥71.20278

4495

2-3 工作日

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合计: ¥71.20278

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S27KS0641DPBHI020
S27KS0641DPBHI020
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥19.60263

11

2-3 工作日

- +

合计: ¥19.60263

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FM25L04B-GTR
FM25L04B-GTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥13.70653

41294

2-3 工作日

- +

合计: ¥13.70653

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S79FL256SDSMFVG03
S79FL256SDSMFVG03
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 16-SOIC

¥37.08190

2900

5-7 工作日

- +

合计: ¥53,768.76080

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CY62148EV30LL-45BVXI
CY62148EV30LL-45BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 36-VFBGA(6x8)

¥13.20385

4600

2-3 工作日

- +

合计: ¥13.20385

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CY7C1049GN-10VXI
CY7C1049GN-10VXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-SOJ

¥55.63844

570

5-7 工作日

- +

合计: ¥55.63844

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FM25L16B-DGTR
FM25L16B-DGTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (4x4.5)

¥17.31936

5954

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.31936

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S25FL256LAGBHI030
S25FL256LAGBHI030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (6x8)

¥8.01020

184

5-7 工作日

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合计: ¥8.01020

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CY62157EV18LL-55BVXI
CY62157EV18LL-55BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 1.65伏~2.25伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥75.41138

811

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合计: ¥75.41138

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S25FL064LABNFI013
S25FL064LABNFI013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (5x6)

¥13.12014

15933

2-3 工作日

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合计: ¥13.12014

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S25FL064LABMFI013
S25FL064LABMFI013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥22.26134

51188

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