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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT29F2G08ABBEAHC-IT:E
MT29F2G08ABBEAHC-IT:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (10.5x13)

¥29.55414

1251

2-3 工作日

- +

合计: ¥29.55414

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MT41K1G4DA-107:P
MT41K1G4DA-107:P
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (1G x 4) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥82.73196

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥82.73196

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MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥29.28437

1250

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.28437

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MT41K256M8DA-125:K
MT41K256M8DA-125:K
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥72.75941

29971

2-3 工作日

- +

合计: ¥72.75941

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MT41K256M16TW-107:P
MT41K256M16TW-107:P
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14)

¥20.95277

4843

2-3 工作日

- +

合计: ¥20.95277

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M29F800FB5AN6F2
M29F800FB5AN6F2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥55.06119

3000

2-3 工作日

- +

合计: ¥55.06119

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MT35XU512ABA2G12-0AAT
MT35XU512ABA2G12-0AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥113.96382

1067

5-7 工作日

- +

合计: ¥113.96382

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MTFC32GAPALGT-AAT
MTFC32GAPALGT-AAT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8)

¥294.79122

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥294.79122

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MTFC32GAZAQHD-WT
MTFC32GAZAQHD-WT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 153-VFBGA (11.5x13)

¥184.44087

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥184.44087

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MT41K512M16HA-125:A
MT41K512M16HA-125:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x14)

¥162.35778

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥162.35778

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MT35XU512ABA2G12-0AUT
MT35XU512ABA2G12-0AUT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥130.55349

281

5-7 工作日

- +

合计: ¥130.55349

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MT58L512L18PS-10
MT58L512L18PS-10
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1)

¥57.70320

2808

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,192.72160

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MT58L512Y36PT-5
MT58L512Y36PT-5
CACHE SRAM, 512KX36, 3.1NS PQFP1

¥132.35672

423

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,250.06416

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MT58L256L32FT-10
MT58L256L32FT-10
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (256K x 32) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20.1)

¥90.59402

9628

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,174.25658

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MT58L512Y36PF-10
MT58L512Y36PF-10
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥132.35672

177

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,250.06416

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MT58L128L36P1T-7.5TR
MT58L128L36P1T-7.5TR
SRAM SYNC QUAD 4M-BIT 128KX36

¥20.05186

500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,185.65296

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MT57W512H36JF-6
MT57W512H36JF-6
DDR SRAM, 512KX36, 0.5NS PBGA165

¥202.03333

2006

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,222.36662

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MT55L512Y36FT-11
MT55L512Y36FT-11
ZBT SRAM, 512KX36, 8.5NS PQFP100

¥134.66484

1143

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,289.30233

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MT57W512H36JF-5
MT57W512H36JF-5
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥202.03333

262

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,222.36662

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MT58L512Y36FT-6.8
MT58L512Y36FT-6.8
CACHE SRAM, 512KX36, 6.8NS PQFP1

¥134.66484

607

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,289.30233

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