| FJA000003 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 种类: XO (Standard) 频率: 100兆赫 输出: 互补型金属氧化物半导体 工作温度: -20摄氏度~70摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥10.26172 |
| FJA000001 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 种类: XO (Standard) 频率: 100兆赫 输出: 互补型金属氧化物半导体 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥10.53537 |
| FJA000002 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 种类: XO (Standard) 频率: 100兆赫 输出: 低压互补金属氧化物半导体 频率的稳定性: ±20ppm 工作温度: -20摄氏度~70摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥10.53537 |
| FJA000007Q | 达尔科技 (Diodes rporated) | 种类: XO (Standard) 频率: 100兆赫 输出: 互补型金属氧化物半导体 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥11.79881 |
| FJAFS1720TU | | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 12A 集电极击穿电压: 800 V 最大功率: 60 W 特征频率: 15MHz 供应商设备包装: TO-3PF | ¥18.8348 |
| FJAF4210YTU | | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 10A 集电极击穿电压: 140伏 最大功率: 80 W 特征频率: 30MHz 供应商设备包装: TO-3PF | ¥8.87617 |
| FJAF6810DTU | | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 10A 集电极击穿电压: 750 V 最大功率: 60 W 供应商设备包装: TO-3PF | ¥10.17512 |
| FJA4313RTU | | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 17 A 集电极击穿电压: 250伏 最大功率: 130瓦 特征频率: 30MHz 供应商设备包装: TO-3PN | ¥7.14424 |
| FJA4313OTU | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 17 A 集电极击穿电压: 250伏 最大功率: 130瓦 特征频率: 30MHz 供应商设备包装: TO-3PN | ¥25.76255 |
| FJA13009TU | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 12A 集电极击穿电压: 400伏 最大功率: 130瓦 特征频率: 4MHz 供应商设备包装: TO-3P | ¥12.77303 |